威兆半导体推出的VS4N65CD是一款面向 650V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配高压小功率电源管理、开关电路等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值 260mΩ，高压场景下传导损耗可控；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)时 2.5A，满足高压小功率负载的电流需求；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：16A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可应对瞬时小电流冲击。
二、核心特性
- 高压适配：650V 耐压满足高压电源场景需求；
- 快速开关：开关特性优异，适配高频高压开关电路；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
650 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±30 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
4 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 4；\(T=100^\circ\text{C}\): 2.5 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
16 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
144 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
12.5 | W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配小型化高压电路板设计；
- 典型应用：
- 650V 级高压小功率 DC/DC 转换器；
- 高压电源的开关电路；
- 工业设备的高压小功率负载控制。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
